詳細介紹一下PFEIFFER CMR364 真空計的耐污染能力

PFEIFFER CMR364 真空計憑借陶瓷電容傳感結構、全金屬 / 陶瓷流路、無熱絲設計，在耐污染、抗腐蝕、抗粉塵 / 蒸汽方面表現突出，是中低真空惡劣工況的優選方案。

一、核心耐污染設計原理

陶瓷電容膜片（99.5% Al?O?）：傳感器核心為高致密、高硬度陶瓷，表面光滑、無孔隙、化學惰性強，不易吸附 / 黏附污染物，粉塵、油蒸汽、鍍膜前驅體難以附著或滲入。

無熱絲、無加熱元件：無高溫部件，不會造成污染物熱分解、碳化或結焦，避免傳統熱導 / 電離規常見的污染累積與性能劣化。

全密封、無活動機械件：無摩擦、無磨損，污染物無法進入內部電路腔，長期穩定性不受機械損耗影響。

流路材質：316L 不銹鋼 + 高純陶瓷：與真空接觸的全部表面均為耐腐蝕、抗污染材質，無易被腐蝕 / 污染的非金屬密封或涂層。

二、關鍵耐污染能力表現

1. 抗粉塵與固體顆粒污染

陶瓷膜片表面不易積塵，輕微粉塵不影響電容測量；

可耐受真空系統中常見的金屬粉塵、陶瓷粉塵、粉末冶金粉塵等；

無內部縫隙與死角，顆粒不易卡滯、堆積，無需頻繁拆解清潔。

2. 抗油蒸汽與有機蒸汽污染

陶瓷表面低吸附、低浸潤，油蒸汽、溶劑蒸汽、聚合物蒸汽不易形成連續膜；

無加熱絲，不會發生油裂解、結焦，避免傳統熱導規常見的 “油污染漂移"；

污染后可通過真空烘烤、惰性氣體吹掃恢復性能，無需更換傳感器。

3. 抗腐蝕性氣體與介質污染

全系列兼容腐蝕性氣體：HCl、NH?、Cl?、H?S、氟化物、酸性 / 堿性蒸汽等；

陶瓷與 316L 不銹鋼抗化學腐蝕，長期接觸腐蝕性介質無明顯腐蝕、無材料析出；

測量與氣體種類無關，腐蝕氣體不改變測量原理與精度，無需氣體修正。

4. 抗鍍膜與工藝副產物污染

適合 PVD、CVD、ALD、刻蝕等易產生鍍膜 / 沉積物的工藝；

陶瓷膜片不易被金屬膜、介質膜覆蓋，輕微鍍膜不顯著影響零點與線性；

相比金屬膜片規，陶瓷更耐鍍膜侵蝕、更易清潔再生。

5. 耐空氣沖擊與反復放氣

可直接承受大氣壓沖擊，無需保護閥；反復通大氣、抽真空不損傷傳感器；

空氣、水汽進入后不易造成污染，快速抽真空即可恢復測量。

三、污染耐受的技術保障

零點長期穩定：陶瓷無記憶效應、無老化，污染后零點漂移小，免頻繁校準；

溫度補償完善：內置溫度補償，污染 / 溫度變化不疊加導致大幅誤差；

結構緊湊、易清潔：無復雜內部結構，可通過真空烘烤、等離子清洗、溶劑擦拭（外部）恢復性能。

四、適用污染場景

真空鍍膜（PVD/CVD/ALD）

半導體刻蝕、沉積工藝

真空爐、熱處理、粉末冶金

化工、制藥、腐蝕氣體真空系統

含粉塵、油蒸汽、有機蒸汽的工業真空

頻繁通大氣、需高可靠性的真空設備

五、與其他類型真空計對比（耐污染維度）

表格

特性    CMR364（陶瓷電容）    熱導規（皮拉尼）    電離規

抗粉塵    優秀    一般（易積塵）    差

抗油蒸汽    優秀    差（易結焦）    差

抗腐蝕氣體    優秀    一般（熱絲易腐蝕）    差

抗鍍膜    良好    差    極差

耐大氣壓沖擊    優秀    一般    極差

污染后恢復    易（烘烤 / 吹掃）    難（常需更換）    極難

六、PFEIFFER CMR364 真空計維護與污染后處理建議

常規維護：定期真空烘烤（100–150℃） 去除吸附的水汽與有機蒸汽；

輕度污染：用干燥氮氣 / 氬氣吹掃傳感器入口；

重度鍍膜 / 污染：可等離子清洗或溫和溶劑（如異丙醇）擦拭外部，內部嚴禁液體侵入；

避免：液態水、強酸強堿、高濃度顆粒直接沖擊傳感器膜片。